本文摘要：初定8月底发布JESD209-4第四代低功耗双数据速率(LPDDR4)移动存储器标准的JEDEC固态技术协会(SolidStateTechnologyAssociation)，近日又公布了新版3D架构移动存储器规格WideI/O2标准JESD229-2，新标准某种程度是为了因应移动运算装置对存储器速度与效能的市场需求。

初定8月底发布JESD209-4第四代低功耗双数据速率(LPDDR4)移动存储器标准的JEDEC固态技术协会(SolidStateTechnologyAssociation)，近日又公布了新版3D架构移动存储器规格WideI/O2标准JESD229-2，新标准某种程度是为了因应移动运算装置对存储器速度与效能的市场需求。　　新标准保有了以硅穿孔(TSV)技术横向填充的WideI/O形式，但速度显著提高(四倍)，在电源方面也有转变;具体说来，新的WideI/O2标准反对1.1V电源、最低68GB/s存储器频宽，瞄准智能手机、平板装置以及游戏机等应用于。市场预期WideI/O2以及LPDDR4两项新标准，将反对移动存储器供应商同时获取水平与横向(即3D)架构解决方案选项。

　　WideI/O2的重点规格还包括：　　˙地下通道数──4与8;　　˙存储器区块(bank)数──每芯片32个;　　˙存储容量──8Gb~32Gb;　　˙分页大小(Pagesize)──4KB(4地下通道芯片)、2KB(8地下通道芯片);　　˙晶片仅次于频宽──34GB/s(4地下通道芯片)、68GB/s(8地下通道芯片);　　˙仅次于I/O速度：分成1066Mbit/s、800Mbit、与1066Mbit/s三类;　　˙操作者电压──1.1V。

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