本文摘要：近日，沙特阿卜杜拉国王科技大学（KAUST）研究团队展出了纳米级氮化铝镓（AlGaN）闪烁装置。现有的AlGaN闪烁装置，被指出是代替现有UV气体激光和所含剧毒物质的UV灯的UV灯源。不过，由于装置中的UV激光二极体，电压最少要25伏特才能操作者，再加电洞流经层效率不欠佳，造成串联电阻低，性能有限。 这和AlGaN铝层的P型半导体涂层以及缺乏有效地的风扇管道等有关。研究人员以交错折射率产于容许结构层（GRINSCH）装置，制作出有。

近日，沙特阿卜杜拉国王科技大学（KAUST）研究团队展出了纳米级氮化铝镓（AlGaN）闪烁装置。现有的AlGaN闪烁装置，被指出是代替现有UV气体激光和所含剧毒物质的UV灯的UV灯源。不过，由于装置中的UV激光二极体，电压最少要25伏特才能操作者，再加电洞流经层效率不欠佳，造成串联电阻低，性能有限。

这和AlGaN铝层的P型半导体涂层以及缺乏有效地的风扇管道等有关。研究人员以交错折射率产于容许结构层（GRINSCH）装置，制作出有。

与原本的AlGaN磊晶薄膜层比起，纳米级AlGaN表面积对体积于多，构成有效地的形变肿胀，能必要在还包括金属等基质上延伸。金属和以矽或蓝宝石包复的金属基质，能在低电流操作过程，获取更佳的风扇管道。纳米级P型半导体重新加入了镁，活化能市场需求较低，因此电阻也比较较小。研究人员期望未来能将纳米级GRINSCH二极体应用于在纳米高效能UVLED装置，看起来激光、光感测器、调幅器以及积体光学涉及装置上。

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